Dysk SSD Silicon Power Ace A55 512GB 2,5" SATA III 560/530 MB/s (SP512GBSS3A55S25)
-
Załączniki bezpieczeństwa
Załczniki do produktuZałączniki dotyczące bezpieczeństwa produktu zawierają informacje o opakowaniu produktu i mogą dostarczać kluczowych informacji dotyczących bezpieczeństwa konkretnego produktu
-
Informacje o producencie
Informacje o producencieInformacje dotyczące produktu obejmują adres i powiązane dane producenta produktu.silicon power
-
Osoba odpowiedzialna w UE
Osoba odpowiedzialna w UEPodmiot gospodarczy z siedzibą w UE zapewniający zgodność produktu z wymaganymi przepisami.
MTBF (Średni okres międzyawaryjny): 1500000 h
Głębokość produktu: 7 mm
Wibracje podczas pracy: 20 G
Standardowe rozwiązania komunikacyjne: Serial ATA III
Sekwencyjna prędkość zapisu (CDM): 450 MB/s
Typ pamięci: 3D TLC
Rozmiar kieszeni dysku SSD: 2.5"
Sekwencyjna prędkość odczytu (ATTO): 560 MB/s
Cechy zabiezpieczeń: Wytrzymały na wibracje
Wstrząsy podczas pracy: 1500 G
Wsparcie TRIM: Tak
Szerokość produktu: 100 mm
Obsługa S.M.A.R.T.: Tak
Usługa RAID: Tak
Napięcie pracy: 5 V
Element dla: Notebook
Sekwencyjna szybkość zapisu (ATTO): 530 MB/s
Kolejkowaniem zadań (NCQ): Tak
Typ błysku NAND: SLC (Single Level Cell)
Szybkość przesyłania danych: 6 Gbit/s
Zgodność z RoHS: Tak
Kod korekcyjny: Tak
Wysokość produktu: 69,8 mm
Sekwencyjna prędkość odczytu (CDM): 500 MB/s
Pojemność pamięci SSD: 512 GB
IT
-
Cechy zabiezpieczeń:
Wytrzymały na wibracje
-
Element dla:
Notebook
-
Głębokość produktu:
7 mm
-
Kod korekcyjny:
Tak
-
Kolejkowaniem zadań (NCQ):
Tak
-
Kolor produktu:
Czarny
-
MTBF (Średni okres międzyawaryjny):
1500000 h
-
Napięcie pracy:
5 V
-
Obsługa S.M.A.R.T.:
Tak
-
Pojemność pamięci SSD:
512 GB
-
Rozmiar kieszeni dysku SSD:
2.5"
-
Sekwencyjna prędkość odczytu (ATTO):
560 MB/s
-
Sekwencyjna prędkość odczytu (CDM):
500 MB/s
-
Sekwencyjna prędkość zapisu (CDM):
450 MB/s
-
Sekwencyjna szybkość zapisu (ATTO):
530 MB/s
-
Standardowe rozwiązania komunikacyjne:
Serial ATA III
-
Szerokość produktu:
100 mm
-
Szybkość przesyłania danych:
6 Gbit/s
-
Typ błysku NAND:
SLC (Single Level Cell)
-
Typ pamięci:
3D TLC
-
Usługa RAID:
Tak
-
Wibracje podczas pracy:
20 G
-
Wsparcie TRIM:
Tak
-
Wstrząsy podczas pracy:
1500 G
-
Wysokość produktu:
69,8 mm
-
Zgodność z RoHS:
Tak